※ 引述《JJa (年輕辣爸)》之銘言： : 記憶體的參數是不是越小 代表效能越好呢??? : 本來是3-3-3-7 現在改成2.5-3-3-6 是不是後者比較好??? 理論上當然是越小越好.但是實際上有沒有造成你看的見的改變. 這就不一定.理論上也是越前面的那個數字影響越大.實際上也是 不一定. 根據lostcircuits的Memory FAQ中的某篇. 在PC133的時候CL3與CL2會造成很大的效能影響. 但是在DDR266以上的時候CL2與CL2.5 or CL3影響沒有 那麼大. 為什麼?跟Memory Controller的Policy有關. 在PC133的時候,"下一個Read Request/Col Addr" 只能在前一個burst資料的第三個cycle以後才送出. 所以造成CL3的時候,"多出的1 cycle latency沒辦法隱藏" 但是DDR SDRAM下,因為沒有以上規則的限制.所以CL>2的 多出來的latency影響就可以被bank interleave或者是 其他技巧解決掉. DDR SDRAM下CL的影響性降低.但是相對的tRCD的影響就提高了 (其實1T/2T command的影響更大.....) (補充:以上說法我只看過該篇FAQ提到,不曾在其他地方看過 從其他文件的PC133 SDRAM Timing也還沒找到能印證 的....) 換言之理論告訴你DDR怎樣的timing下理論頻寬較高. 可是實際上的memory controller實測結果可能沒差或者是 相反.理論上這些延遲越小越好,實際上你不知道你的memory controller是不是剛好有針對特定範圍內的延遲作最佳化. : 最近在學超頻 : 順便再問一下 記億體要如何超頻???我的3000+ 939 : 小超250*9 可是ram無法跑同步 只能跑166 bios設定DDR166,在250外頻下執行的是DDR41X. 如果你還想設200的話.那就變成DDR500了. 所以你的問題變成.不換RAM的情況下如何使DDR400變成DDR500. ...........天曉得. 其實答案也不見得沒有,去改memory controller對於 Memory實際時脈去trigger的門檻等.相關參數有很多. 不過除了DFI有可能把這些選項開放出來以外. 其他大概要靠patch bios來解決. 而且沒人有把握這地方怎麼改才有效或者是改出來 沒有傷害性.... : 我要如何才能跑200??? : 不要說換ram耶~ : 謝謝嚕 你還沒發現你這種設定下也已經超頻到記憶體了嗎?? --

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