※ 引述《JJa (年轻辣爸)》之铭言： : 记忆体的参数是不是越小 代表效能越好呢??? : 本来是3-3-3-7 现在改成2.5-3-3-6 是不是後者比较好??? 理论上当然是越小越好.但是实际上有没有造成你看的见的改变. 这就不一定.理论上也是越前面的那个数字影响越大.实际上也是 不一定. 根据lostcircuits的Memory FAQ中的某篇. 在PC133的时候CL3与CL2会造成很大的效能影响. 但是在DDR266以上的时候CL2与CL2.5 or CL3影响没有 那麽大. 为什麽?跟Memory Controller的Policy有关. 在PC133的时候,"下一个Read Request/Col Addr" 只能在前一个burst资料的第三个cycle以後才送出. 所以造成CL3的时候,"多出的1 cycle latency没办法隐藏" 但是DDR SDRAM下,因为没有以上规则的限制.所以CL>2的 多出来的latency影响就可以被bank interleave或者是 其他技巧解决掉. DDR SDRAM下CL的影响性降低.但是相对的tRCD的影响就提高了 (其实1T/2T command的影响更大.....) (补充:以上说法我只看过该篇FAQ提到,不曾在其他地方看过 从其他文件的PC133 SDRAM Timing也还没找到能印证 的....) 换言之理论告诉你DDR怎样的timing下理论频宽较高. 可是实际上的memory controller实测结果可能没差或者是 相反.理论上这些延迟越小越好,实际上你不知道你的memory controller是不是刚好有针对特定范围内的延迟作最佳化. : 最近在学超频 : 顺便再问一下 记亿体要如何超频???我的3000+ 939 : 小超250*9 可是ram无法跑同步 只能跑166 bios设定DDR166,在250外频下执行的是DDR41X. 如果你还想设200的话.那就变成DDR500了. 所以你的问题变成.不换RAM的情况下如何使DDR400变成DDR500. ...........天晓得. 其实答案也不见得没有,去改memory controller对於 Memory实际时脉去trigger的门槛等.相关参数有很多. 不过除了DFI有可能把这些选项开放出来以外. 其他大概要靠patch bios来解决. 而且没人有把握这地方怎麽改才有效或者是改出来 没有伤害性.... : 我要如何才能跑200??? : 不要说换ram耶~ : 谢谢噜 你还没发现你这种设定下也已经超频到记忆体了吗?? --

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