Hi 我也是非本科出身 但是因緣際會誤入歧途 變成要開始接觸RF領域的超級大菜鳥 根據我對這部分的了解回答你的問題 有誤的部分還請各位多多指教 : （１）據我所知on wafer的元件只有設計GSG pad : 並沒有做任何的阻抗匹配 : 在小訊號量測的時候直接下針量測到S參數 : 然而經由量測到的S參數經由ADS轉換得到的fmax (MAG/MSG @0dB) : 據我查資料得到MAG/MAG是在conjugate matching的結果 : 為什麼元件沒有做量測的阻抗匹配 : 卻能得到有conjugate matching (MAG/MSG)的結果呢?? : 另外，這個conjugate matching應該不是跟網儀的50歐姆做匹配吧?? : : （２）小訊號量測會額外像大訊號一樣使用tuner做阻抗匹配量測嗎?? : 若是這樣量測得到的S參數應該會不同吧?? : 那ft(H21=0dB)和fmax(MAG/MSG=0dB)是否也會改變呢?? : 改變的結果跟元件de-embedded後的結果有關係嗎? : : （３）大訊號的量測是透過Load-pull system : 因此是有透過tuner做input&output的阻抗匹配 : 那當我在大訊號定在10 GHz的數據中(如示意圖上黃色的數字) : 假設我的Pin為-15dBm 對應到的Gp為20dB : 那又假設恰好在小訊號量測的時候恰好也提供-15dBm的功率 : 請問此時在小訊號上10 GHz是否也是對應到MAG/MSG=20dB ??? : : （４）若問題(3)成立，那我量測到小訊號的MAG/MSG : 可以說是能先透過小訊號預估在大訊號不同頻率下的特性(Gp)嗎? : 以上幾個問題，還請版上大大能不吝指教!! 其實你的四個問題大概可以簡化成兩個問題 (1)&(2)算一個 (3)&(4)算一個 先提個概念簡單說一下 小訊號是看"線性"下的特性(線性指的是Pout=Pin+Gain) 大訊號是看"線性以及非線性"下的特性 (非線性即Pout=/=Pin+Gain, ex:P1dB, Psat) (3)&(4) 其實小訊號量測可以視為Pin很小的load-pull量測(其實就是S參數量測) 所以你在Pin很小的地方基本上看到的gain就是你的MAG 只是說load-pull用tuner tune好之後 Pin會掃到比較大的地方(非線性區) 也就是你問的(3)&(4)答案都是yes 而(4)的部分大概就只能預測線性區下的gain跟Pout 至於(1)&(2) 我的理解是這樣(可能有誤 待高手幫忙指正及補充) 基本上我們在做小訊號量測 就是希望得到元件在網儀系統(50歐姆or其他)下的S參數 並利用量測到的S參數去計算MAG求fmax, H21求ft等等我們希望知道的訊息 (通常在量測前都會做校正, 例如:ISS,SOLT,LRRM等等 其實就是在確認你的量測系統在50歐姆) 至於需要做到共軛匹配的情況 大概是你希望能夠看到元件在無反射情況下的特性 才會用先前量到的S參數去matching 把元件在特定的頻率下的點matching到Smith chart的中心 這樣你量測到的特性才會是無反射情況下的特性 我的理解是 第一步先用網儀(50歐姆系統)的小訊號量測 先取得最初的S參數資訊 第二步才是利用此S參數 根據想看的頻率去調load-pull的tuner matching到smith chart中央 去觀察無反射情況下的特性 小弟也是新手 還望各位先進指教 --

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