Hi 我也是非本科出身 但是因缘际会误入歧途 变成要开始接触RF领域的超级大菜鸟 根据我对这部分的了解回答你的问题 有误的部分还请各位多多指教 : （１）据我所知on wafer的元件只有设计GSG pad : 并没有做任何的阻抗匹配 : 在小讯号量测的时候直接下针量测到S参数 : 然而经由量测到的S参数经由ADS转换得到的fmax (MAG/MSG @0dB) : 据我查资料得到MAG/MAG是在conjugate matching的结果 : 为什麽元件没有做量测的阻抗匹配 : 却能得到有conjugate matching (MAG/MSG)的结果呢?? : 另外，这个conjugate matching应该不是跟网仪的50欧姆做匹配吧?? : : （２）小讯号量测会额外像大讯号一样使用tuner做阻抗匹配量测吗?? : 若是这样量测得到的S参数应该会不同吧?? : 那ft(H21=0dB)和fmax(MAG/MSG=0dB)是否也会改变呢?? : 改变的结果跟元件de-embedded後的结果有关系吗? : : （３）大讯号的量测是透过Load-pull system : 因此是有透过tuner做input&output的阻抗匹配 : 那当我在大讯号定在10 GHz的数据中(如示意图上黄色的数字) : 假设我的Pin为-15dBm 对应到的Gp为20dB : 那又假设恰好在小讯号量测的时候恰好也提供-15dBm的功率 : 请问此时在小讯号上10 GHz是否也是对应到MAG/MSG=20dB ??? : : （４）若问题(3)成立，那我量测到小讯号的MAG/MSG : 可以说是能先透过小讯号预估在大讯号不同频率下的特性(Gp)吗? : 以上几个问题，还请版上大大能不吝指教!! 其实你的四个问题大概可以简化成两个问题 (1)&(2)算一个 (3)&(4)算一个 先提个概念简单说一下 小讯号是看"线性"下的特性(线性指的是Pout=Pin+Gain) 大讯号是看"线性以及非线性"下的特性 (非线性即Pout=/=Pin+Gain, ex:P1dB, Psat) (3)&(4) 其实小讯号量测可以视为Pin很小的load-pull量测(其实就是S参数量测) 所以你在Pin很小的地方基本上看到的gain就是你的MAG 只是说load-pull用tuner tune好之後 Pin会扫到比较大的地方(非线性区) 也就是你问的(3)&(4)答案都是yes 而(4)的部分大概就只能预测线性区下的gain跟Pout 至於(1)&(2) 我的理解是这样(可能有误 待高手帮忙指正及补充) 基本上我们在做小讯号量测 就是希望得到元件在网仪系统(50欧姆or其他)下的S参数 并利用量测到的S参数去计算MAG求fmax, H21求ft等等我们希望知道的讯息 (通常在量测前都会做校正, 例如:ISS,SOLT,LRRM等等 其实就是在确认你的量测系统在50欧姆) 至於需要做到共轭匹配的情况 大概是你希望能够看到元件在无反射情况下的特性 才会用先前量到的S参数去matching 把元件在特定的频率下的点matching到Smith chart的中心 这样你量测到的特性才会是无反射情况下的特性 我的理解是 第一步先用网仪(50欧姆系统)的小讯号量测 先取得最初的S参数资讯 第二步才是利用此S参数 根据想看的频率去调load-pull的tuner matching到smith chart中央 去观察无反射情况下的特性 小弟也是新手 还望各位先进指教 --

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