作者MrPanda (不人氣揪團師)
看板comm_and_RF
標題Re: [問題] moscap 掃出的CV曲線與書上不太一致
時間Thu Jul 16 09:49:00 2015
※ 引述《meimeilin520 (meimei)》之銘言：
: 想請問一下我掃描了一個nmos想得知他的CV曲線
: 可是我掃出來的曲線卻像是pmos所掃到的曲線
: 在Vg<0的地方,電容在高頻衰退,
: 書上都是講在Vg>0的地方才會高頻衰退
: 有人知道是怎麼回事嗎?
: 我接法很簡單把nmos SDB都接地,從G灌電壓進去算電容
如果可以的話在回答之前我滿想知道你掃的電壓範圍還有掃描頻率
不過我這邊還是先講一下我覺得可能的狀況
如果你是把n-MOSFET(SDB接地)當作n-MOSCAP來量
inversion有可能提前發生
舉例當你將電壓由負電壓往正電壓掃
一般來講n-MOSCAP在fully depletion後進入inversion時
少數載子(在這裡是電子)是由基板供應
你現在用的是n-MOSFET，在inversion時你的少數載子可能會由SD端灌入
不過這必須發生在Vg>0處比較有可能
你說在vg<0的地方開始發生電容高頻衰退
想請問一下你有沒有看到Cmin(Cdep串Cox的那個值)
可以的話po你的圖出來讓大家研究一下
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