作者MrPanda (不人气揪团师)
看板comm_and_RF
标题Re: [问题] moscap 扫出的CV曲线与书上不太一致
时间Thu Jul 16 09:49:00 2015
※ 引述《meimeilin520 (meimei)》之铭言：
: 想请问一下我扫描了一个nmos想得知他的CV曲线
: 可是我扫出来的曲线却像是pmos所扫到的曲线
: 在Vg<0的地方,电容在高频衰退,
: 书上都是讲在Vg>0的地方才会高频衰退
: 有人知道是怎麽回事吗?
: 我接法很简单把nmos SDB都接地,从G灌电压进去算电容
如果可以的话在回答之前我满想知道你扫的电压范围还有扫描频率
不过我这边还是先讲一下我觉得可能的状况
如果你是把n-MOSFET(SDB接地)当作n-MOSCAP来量
inversion有可能提前发生
举例当你将电压由负电压往正电压扫
一般来讲n-MOSCAP在fully depletion後进入inversion时
少数载子(在这里是电子)是由基板供应
你现在用的是n-MOSFET，在inversion时你的少数载子可能会由SD端灌入
不过这必须发生在Vg>0处比较有可能
你说在vg<0的地方开始发生电容高频衰退
想请问一下你有没有看到Cmin(Cdep串Cox的那个值)
可以的话po你的图出来让大家研究一下
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