想請問 假如說有一個bandgap=4eV的半導體 在他的bandgap中 有兩個因為晶格缺陷或是不純物所產生的能階 這兩個能階個別有一個電子在他們身上 一個距離conduction band有1eV的能差(也就是說activation energy=1eV) 另一個則距離conductio band 有2eV的能差(亦即activation energy=2eV) 如果這時候對這個半導體施加能量為3eV的光子(光子能量大於所有的activation energy) 光子會被哪一個電子吸收掉的可能性會比較大呢? 是位於conduction band 近的那一個? 還是比較遠的那一個呢? 簡言之, 我的問題是 如果光子的能量肯定大於activation energy的情況下 光子的被吸收率 會受到吸收他的東西的activation energy影響嗎?? 感謝 --

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