想请问 假如说有一个bandgap=4eV的半导体 在他的bandgap中 有两个因为晶格缺陷或是不纯物所产生的能阶 这两个能阶个别有一个电子在他们身上 一个距离conduction band有1eV的能差(也就是说activation energy=1eV) 另一个则距离conductio band 有2eV的能差(亦即activation energy=2eV) 如果这时候对这个半导体施加能量为3eV的光子(光子能量大於所有的activation energy) 光子会被哪一个电子吸收掉的可能性会比较大呢? 是位於conduction band 近的那一个? 还是比较远的那一个呢? 简言之, 我的问题是 如果光子的能量肯定大於activation energy的情况下 光子的被吸收率 会受到吸收他的东西的activation energy影响吗?? 感谢 --

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