各位板上的先進們，你們好： 我在這個版上爬文的時候，偶然找到這個網址。 http://www.mosis.com/requests/test-data 我查詢的是TSMC - 0.18micron製程 (CM018) 在連結上面，各別寫著下面幾個縮稱 (小弟的英文很差，直接使用谷哥大神翻譯，不知道有沒有搞錯意思) EPL 磊晶晶圓 NON_EPL 非外延片 LO 邏輯 MM 混合模式過程 THK-MTL 厚重金屬選項 我依序點了幾筆資料來看，發現每筆資料的K'都不相同。 當然，小弟也知道，這是正常現象。 我想要做一個4bit的乘法器當做練習。 想盡量將問題簡單化，用MOS組成邏輯閘來完成設計。 但這之前，我應該先做出一個最基本的INV的才行。 我希望自己可以學會 - 如何做出一個匹配的INV。 之後的其它的元件也就可以自己舉一反三。 如果我要使得INV操作於飽和區 我想先手算過一遍，使用的公式是 Id = 1/2*UCox*(W/L)*(Vgs-Vt)^2 = k'(W/L)*(Vgs-Vt)^2 在這裡，我使用0.18um製程，Vgs=1.8，Vt≒0.3Vdd=0.6volt (Vt是我自己估的，不知道這值有沒有更明確的做法?) = K'(W/L)*(1.8-0.6)^2 算到這裡，我開始需要K'的值了。 在這裡先問，T92Y、T77A、T64H...等 Q.這前面的數字代表什麼意思? 每一份資料的N-CHANNEL跟P-CHANNEL的K'值都不一樣 Q.我應該如何選擇，哪一份資料是適合我使用?或者夠用? 假定我使用T77A_MM_NON_EPI這份資料,L也固定在最小單位180.00nM K' = 171.6(N) ; -35.2(P) 單位 uA/V^2 Idp = -35.2(W/180)(1.44) Idn = 171.6(W/180)(1.44) 這個時候，只要我透過調整W，使得|Idp| = Idn，Q.這樣就算是匹配了嗎？ 我知道這算是有點基礎的電子學了。 算數的部分我自己加油，但不知道我這樣的做法對不對？ 另外，不知道這個網站提供的參數是否可以直接使用？ 還是，其實它的K'也是僅供參考？ 如果有錯，希望不吝賜教！！ --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 36.239.251.130