作者mrj0702 (KissStar)
看板comm_and_RF
标题[问题] K'参数(UCox)的选择与可信度
时间Tue Apr 16 15:06:43 2013
各位板上的先进们，你们好：
我在这个版上爬文的时候，偶然找到这个网址。
http://www.mosis.com/requests/test-data
我查询的是TSMC - 0.18micron制程 (CM018)
在连结上面，各别写着下面几个缩称
(小弟的英文很差，直接使用谷哥大神翻译，不知道有没有搞错意思)
EPL 磊晶晶圆
NON_EPL 非外延片
LO 逻辑
MM 混合模式过程
THK-MTL 厚重金属选项
我依序点了几笔资料来看，发现每笔资料的K'都不相同。
当然，小弟也知道，这是正常现象。
我想要做一个4bit的乘法器当做练习。
想尽量将问题简单化，用MOS组成逻辑闸来完成设计。
但这之前，我应该先做出一个最基本的INV的才行。
我希望自己可以学会 - 如何做出一个匹配的INV。
之後的其它的元件也就可以自己举一反三。
如果我要使得INV操作於饱和区
我想先手算过一遍，使用的公式是
Id = 1/2*UCox*(W/L)*(Vgs-Vt)^2
= k'(W/L)*(Vgs-Vt)^2
在这里，我使用0.18um制程，Vgs=1.8，Vt≒0.3Vdd=0.6volt
(Vt是我自己估的，不知道这值有没有更明确的做法?)
= K'(W/L)*(1.8-0.6)^2
算到这里，我开始需要K'的值了。
在这里先问，T92Y、T77A、T64H...等
Q.这前面的数字代表什麽意思?
每一份资料的N-CHANNEL跟P-CHANNEL的K'值都不一样
Q.我应该如何选择，哪一份资料是适合我使用?或者够用?
假定我使用T77A_MM_NON_EPI这份资料,L也固定在最小单位180.00nM
K' = 171.6(N) ; -35.2(P) 单位 uA/V^2
Idp = -35.2(W/180)(1.44)
Idn = 171.6(W/180)(1.44)
这个时候，只要我透过调整W，使得|Idp| = Idn，Q.这样就算是匹配了吗？
我知道这算是有点基础的电子学了。
算数的部分我自己加油，但不知道我这样的做法对不对？
另外，不知道这个网站提供的参数是否可以直接使用？
还是，其实它的K'也是仅供参考？
如果有错，希望不吝赐教！！
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 36.239.251.130