作者BLF (這樣下去會挫起來)
看板comm_and_RF
標題[請益] Wafer上的volcano defect 形成機制為何?
時間Wed Nov 14 00:50:19 2012
如題
最近有遇到這個問題...老實說只知道個大概，如果真的被問到的話一定一問就倒
就是，
半導體上for先進製程，現在幾乎都推展到single式的機台在清洗wafer
而single式的clean，wafer always是在spin的狀態
有一種defect則是在wafer上因為電荷累積而產生的一種小型爆炸狀defect
稱之為volcano defect
在這裡我們會去用一種叫作CHARGE的量測機台來量測電荷
主要會去量測電荷的MAX/MIN/MEAN這三種值，但一直不知道為何要量這三種值
最近想要study這塊...卻無人可以問起
問過管CHARGE機台的人他也說不清楚...
所以有幾點想要請教一下版上的先進們 (抱歉問題可能很蠢但我對電這塊根本呵呵Orz)
1.電荷累積形成volcano defect的機構為何?
2.電荷的最大/最小值/平均值的值，會造成什麼影響呢?
3.量測wafer上charge的機制為何?
希望版上能幫忙解惑or提供相關文獻能讓小弟study也行~~~
感謝大家！！
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