作者BLF (这样下去会挫起来)
看板comm_and_RF
标题[请益] Wafer上的volcano defect 形成机制为何?
时间Wed Nov 14 00:50:19 2012
如题
最近有遇到这个问题...老实说只知道个大概，如果真的被问到的话一定一问就倒
就是，
半导体上for先进制程，现在几乎都推展到single式的机台在清洗wafer
而single式的clean，wafer always是在spin的状态
有一种defect则是在wafer上因为电荷累积而产生的一种小型爆炸状defect
称之为volcano defect
在这里我们会去用一种叫作CHARGE的量测机台来量测电荷
主要会去量测电荷的MAX/MIN/MEAN这三种值，但一直不知道为何要量这三种值
最近想要study这块...却无人可以问起
问过管CHARGE机台的人他也说不清楚...
所以有几点想要请教一下版上的先进们 (抱歉问题可能很蠢但我对电这块根本呵呵Orz)
1.电荷累积形成volcano defect的机构为何?
2.电荷的最大/最小值/平均值的值，会造成什麽影响呢?
3.量测wafer上charge的机制为何?
希望版上能帮忙解惑or提供相关文献能让小弟study也行~~~
感谢大家！！
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