作者Zoma (喔喔喔~~~)
看板comm_and_RF
標題[請益] on wafer量測之calibration
時間Mon May 2 17:53:35 2011
我目前研究主題是要自己製作電晶體,並量測其RF特性,ft fmax之類,
但我對於calibration不熟,怕畫光罩時出錯,因此想請問一下各位,
我是on wafer的量測,使用GSG pitch 100um之針,
量測的配置為以bias tee連接DC supply與VNA,再把訊號送到probe,
有關於calibration,我查挺多人是以Cascade之ISS(impedance standard substrate)
先calibrate到針尖,然後量測S參數,之後再以open short法作de-embeded,
但因為我們自製元件,不同大小的DUT會搭配不一樣的RF pad,
如果這些pad我都有作相對應的SLOT test structure,
若一開始我直接以這些test structure作SLOT calibration,
是否這些pad的parasitics就會被calibrate掉,而不須做兩階段的calibration?
初入此門,苦無人可問,麻煩各位賜教了~
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.49.136
※ Zoma:轉錄至看板 Electronics 05/02 17:54
1F：→ tony770519:Cascade ISS 是拿來專門K從VNA到針尖的 122.120.38.133 05/10 00:45
2F：→ tony770519:ISS裡面的參數都是固定的，不能隨意更 122.120.38.133 05/10 00:46
3F：→ tony770519:原則上是要做兩次沒有錯，一次拿來K針 122.120.38.133 05/10 00:47
4F：→ tony770519:線，一次拿來de-embeded PAD到DEVICE 122.120.38.133 05/10 00:48
5F：→ tony770519:的寄生效應 122.120.38.133 05/10 00:49
6F：→ hsinggg:我感覺也是要做兩次...先K到針,然後de到你 1.169.3.244 05/14 00:50
7F：→ hsinggg:們家元件... 1.169.3.244 05/14 00:50