作者Zoma (喔喔喔~~~)
看板comm_and_RF
标题[请益] on wafer量测之calibration
时间Mon May 2 17:53:35 2011
我目前研究主题是要自己制作电晶体,并量测其RF特性,ft fmax之类,
但我对於calibration不熟,怕画光罩时出错,因此想请问一下各位,
我是on wafer的量测,使用GSG pitch 100um之针,
量测的配置为以bias tee连接DC supply与VNA,再把讯号送到probe,
有关於calibration,我查挺多人是以Cascade之ISS(impedance standard substrate)
先calibrate到针尖,然後量测S参数,之後再以open short法作de-embeded,
但因为我们自制元件,不同大小的DUT会搭配不一样的RF pad,
如果这些pad我都有作相对应的SLOT test structure,
若一开始我直接以这些test structure作SLOT calibration,
是否这些pad的parasitics就会被calibrate掉,而不须做两阶段的calibration?
初入此门,苦无人可问,麻烦各位赐教了~
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.49.136
※ Zoma:转录至看板 Electronics 05/02 17:54
1F：→ tony770519:Cascade ISS 是拿来专门K从VNA到针尖的 122.120.38.133 05/10 00:45
2F：→ tony770519:ISS里面的参数都是固定的，不能随意更 122.120.38.133 05/10 00:46
3F：→ tony770519:原则上是要做两次没有错，一次拿来K针 122.120.38.133 05/10 00:47
4F：→ tony770519:线，一次拿来de-embeded PAD到DEVICE 122.120.38.133 05/10 00:48
5F：→ tony770519:的寄生效应 122.120.38.133 05/10 00:49
6F：→ hsinggg:我感觉也是要做两次...先K到针,然後de到你 1.169.3.244 05/14 00:50
7F：→ hsinggg:们家元件... 1.169.3.244 05/14 00:50