作者ggt (JJ)
看板comm_and_RF
標題[問題] 關於半導體摻雜製程問題請教
時間Sun Oct 24 22:50:39 2010
大家好，請教一個關於半導體摻雜製程問題，有一點點
搞混了。
半導體的摻雜製程大概有二種分別為
1).擴散，利用高溫爐直接利用載體輸送欲摻雜的雜質
並配合高溫爐直接對si做doped.
2).離子佈值，先利用佈值機將雜質沉積於si表面，然後
再行熱擴散，做P或N type的改質
問題來了，在一些paper上會看到例如:
[硼原子 120KEV+濃度]，能量大小是否已經決定了深度
，如果是這樣那就跟書上寫的有點不一樣，書上是說先將
原子沉積在表面，然後需要再一道爐管製程將N或P原子送
入SI內，那為何還需要做能量的改變？
謝謝
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 123.195.211.21
1F：推 cpt:離子布植應該不是沉積在表面 而是打進一定深度 67.186.56.78 10/25 14:21
2F：→ cpt:深度和離子能量有關 打入後再加熱擴散 67.186.56.78 10/25 14:21