作者ggt (JJ)
看板comm_and_RF
标题[问题] 关於半导体掺杂制程问题请教
时间Sun Oct 24 22:50:39 2010
大家好，请教一个关於半导体掺杂制程问题，有一点点
搞混了。
半导体的掺杂制程大概有二种分别为
1).扩散，利用高温炉直接利用载体输送欲掺杂的杂质
并配合高温炉直接对si做doped.
2).离子布值，先利用布值机将杂质沉积於si表面，然後
再行热扩散，做P或N type的改质
问题来了，在一些paper上会看到例如:
[硼原子 120KEV+浓度]，能量大小是否已经决定了深度
，如果是这样那就跟书上写的有点不一样，书上是说先将
原子沉积在表面，然後需要再一道炉管制程将N或P原子送
入SI内，那为何还需要做能量的改变？
谢谢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 123.195.211.21
1F：推 cpt:离子布植应该不是沉积在表面 而是打进一定深度 67.186.56.78 10/25 14:21
2F：→ cpt:深度和离子能量有关 打入後再加热扩散 67.186.56.78 10/25 14:21