作者xxxorc (hghg)
看板comm_and_RF
標題[問題] 想請問MOS FET 通道產生的問題
時間Thu Aug 26 22:45:32 2010
如題 想請問依個NMOS 是如何產生其通道的呢?
1 由+VG 將P基版之少數載子吸至SIO2
疑問 P基版之少數載子濃度不是非常低嗎 真的能當通道??
2 由+VG 將 兩端N+ 之多數載子吸至SIO2
疑問 NEAMEN沒這樣寫 且如果是這樣的話
要V threshhole 臨界電壓作啥
請問是1 OR2
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 220.143.156.152
1F：推 sovereignty:2 114.34.113.8 08/28 21:33
2F：→ xxxorc:可以解釋一下嗎 大大 = = 220.143.159.54 08/29 19:52
3F：→ coolguy101:通道產生是1,Vg超過Vt就會成為強反轉 118.160.105.23 12/29 22:59
4F：→ coolguy101:2的話,在某些HV MOSFET會有這種應用 118.160.105.23 12/29 23:00
5F：→ coolguy101:可以降低Rdson 118.160.105.23 12/29 23:00
6F：→ coolguy101:但是是drift region的多數載子,而非N+ 118.160.105.23 12/29 23:01