作者xxxorc (hghg)
看板comm_and_RF
标题[问题] 想请问MOS FET 通道产生的问题
时间Thu Aug 26 22:45:32 2010
如题 想请问依个NMOS 是如何产生其通道的呢?
1 由+VG 将P基版之少数载子吸至SIO2
疑问 P基版之少数载子浓度不是非常低吗 真的能当通道??
2 由+VG 将 两端N+ 之多数载子吸至SIO2
疑问 NEAMEN没这样写 且如果是这样的话
要V threshhole 临界电压作啥
请问是1 OR2
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.143.156.152
1F：推 sovereignty:2 114.34.113.8 08/28 21:33
2F：→ xxxorc:可以解释一下吗 大大 = = 220.143.159.54 08/29 19:52
3F：→ coolguy101:通道产生是1,Vg超过Vt就会成为强反转 118.160.105.23 12/29 22:59
4F：→ coolguy101:2的话,在某些HV MOSFET会有这种应用 118.160.105.23 12/29 23:00
5F：→ coolguy101:可以降低Rdson 118.160.105.23 12/29 23:00
6F：→ coolguy101:但是是drift region的多数载子,而非N+ 118.160.105.23 12/29 23:01