最近在推導一個PA電路 是一個簡單的CS架構偏壓在AB類的設計 用的電晶體是CIC的WIN_PHEMT製程 電晶體部分利用非線性等效模型推導完成 和實際電晶體on wafer量測穩合度極高 表示這部分模型電路是可信的 在電路分析上是採用s domain下去推KCL來完成 實際PA電路部分的偏壓網路和匹配網路也加入KCL去做分析後 經由數學運算的結果Pout Gain 等對Pin的關係和WIN模型用ADS模擬的很穩合 而實際量測的結果和我ADS模擬中加入CPWG形式的傳輸線效應模擬後的結果也吻合 所以我的自己建立的數學模型應該是只要在加上傳輸線的模擬就可以達到了 因為我建立的數學模型不太好轉成一個單純的區塊放到ADS去模擬加上傳輸線的效應 所以想將傳輸線的效應等效成RLCG電路帶回數學模型做KCL運算 RLCG傳輸線公式在等效上是一段單位長度的值，所以等效RLCG為越多段的話會越接近 我的傳輸線表現，但是我也不能用太複雜使我的KCL節點變過多造成分析困難 另外R的值由於要表現及膚效應會是一個頻率相依的情況 我利用計算得到的RLCG值想帶回ADS和實際傳輸線模擬比對驗證想證明可用後 再帶回我的數學模型去分析 而我在帶回ADS的時候出現ERROR 訊息為:Improper frequency dependence in resistor parameter 意思好像是我的電阻值不能是一個隨頻率變化的值 想問一下在ADS要怎麼去模擬等效的RLCG電路 重點在R的模擬上 因為他有頻率相依的問題存在 問的有點冗長 希望有高手能幫我解決 謝謝 -- ▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄ --

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