最近在推导一个PA电路 是一个简单的CS架构偏压在AB类的设计 用的电晶体是CIC的WIN_PHEMT制程 电晶体部分利用非线性等效模型推导完成 和实际电晶体on wafer量测稳合度极高 表示这部分模型电路是可信的 在电路分析上是采用s domain下去推KCL来完成 实际PA电路部分的偏压网路和匹配网路也加入KCL去做分析後 经由数学运算的结果Pout Gain 等对Pin的关系和WIN模型用ADS模拟的很稳合 而实际量测的结果和我ADS模拟中加入CPWG形式的传输线效应模拟後的结果也吻合 所以我的自己建立的数学模型应该是只要在加上传输线的模拟就可以达到了 因为我建立的数学模型不太好转成一个单纯的区块放到ADS去模拟加上传输线的效应 所以想将传输线的效应等效成RLCG电路带回数学模型做KCL运算 RLCG传输线公式在等效上是一段单位长度的值，所以等效RLCG为越多段的话会越接近 我的传输线表现，但是我也不能用太复杂使我的KCL节点变过多造成分析困难 另外R的值由於要表现及肤效应会是一个频率相依的情况 我利用计算得到的RLCG值想带回ADS和实际传输线模拟比对验证想证明可用後 再带回我的数学模型去分析 而我在带回ADS的时候出现ERROR 讯息为:Improper frequency dependence in resistor parameter 意思好像是我的电阻值不能是一个随频率变化的值 想问一下在ADS要怎麽去模拟等效的RLCG电路 重点在R的模拟上 因为他有频率相依的问题存在 问的有点冗长 希望有高手能帮我解决 谢谢 -- ▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄▄ --

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