作者ggt (JJ)
看板comm_and_RF
標題[問題] 關於MOS量測問題請教
時間Sun Nov 8 19:27:08 2009
大家好，小弟有一個關於MOSFET元件量測問題請教，
假設我們已經利用好幾道製程製作出MOSFET(如圖)，
那我點測的時候是怎麼知道閘極、源極、汲極在圖上
的那個地方，怎麼做電性的量測，第二個問題，一般
MOS(以NMOS為例)，
量測Vd-Id時，Vg也要輸入電壓，然後測得Vd-Id值
量測Vg-Ig時，源極是否需要給電壓
第三個問題，從圖片來看，為何製程中要做出紅色圈的
這個區域，有何特殊用途嗎？
請前輩解惑，感激不盡
圖片：
http://0rz.tw/DnuKq
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◆ From: 123.195.53.67
1F：推 jfsu:好奇怪的圖?是不是有標錯 203.66.222.12 11/09 14:42
2F：→ coolguy101:1. 請找testline manual來確認腳位. 118.160.105.34 03/14 22:59
3F：→ coolguy101:2. 要.加電壓方式請找元件物理來看. 118.160.105.34 03/14 23:00
4F：→ coolguy101:3. 因為這是一個垂直結構的HV trench 118.160.105.34 03/14 23:00
5F：→ coolguy101:MOS. Gate poly拉線出去在紅色圈圈處 118.160.105.34 03/14 23:01
6F：→ coolguy101:加電壓.確認testline layout即可了解. 118.160.105.34 03/14 23:02