作者ggt (JJ)
看板comm_and_RF
标题[问题] 关於MOS量测问题请教
时间Sun Nov 8 19:27:08 2009
大家好，小弟有一个关於MOSFET元件量测问题请教，
假设我们已经利用好几道制程制作出MOSFET(如图)，
那我点测的时候是怎麽知道闸极、源极、汲极在图上
的那个地方，怎麽做电性的量测，第二个问题，一般
MOS(以NMOS为例)，
量测Vd-Id时，Vg也要输入电压，然後测得Vd-Id值
量测Vg-Ig时，源极是否需要给电压
第三个问题，从图片来看，为何制程中要做出红色圈的
这个区域，有何特殊用途吗？
请前辈解惑，感激不尽
图片：
http://0rz.tw/DnuKq
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 123.195.53.67
1F：推 jfsu:好奇怪的图?是不是有标错 203.66.222.12 11/09 14:42
2F：→ coolguy101:1. 请找testline manual来确认脚位. 118.160.105.34 03/14 22:59
3F：→ coolguy101:2. 要.加电压方式请找元件物理来看. 118.160.105.34 03/14 23:00
4F：→ coolguy101:3. 因为这是一个垂直结构的HV trench 118.160.105.34 03/14 23:00
5F：→ coolguy101:MOS. Gate poly拉线出去在红色圈圈处 118.160.105.34 03/14 23:01
6F：→ coolguy101:加电压.确认testline layout即可了解. 118.160.105.34 03/14 23:02