作者jfsu (水精靈)
看板comm_and_RF
標題Re: [問題] buffer layer
時間Wed Sep 30 19:18:44 2009
※ 引述《landau0426 (回頭去追)》之銘言:
: 想請問一下
: 如果我想在一個PN junction中夾入一層buffer layer
: ex n-ZnO/buffer layer/p-si
: 夾在中間的buffer layer必須要有哪些特性才可以
: 以下哪些材料可做選擇
: ex. p-porous si,iTO,MgO,SiO2,AlN,GaN,si3N4
: 厚度大約多少即可?取得比較容易的有哪些?
: 謝謝
當緩衝層要考慮〔熱膨脹係數〕與〔晶格常數是否匹配〕等問題
你的疑問應該可以搜尋一下paper就會有資料才對,ZnO長在p-Si上
也是常被研究的專題。
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你想成為下列〔後宮型〕動漫作品中的哪一位男主角?
〔A〕《純情房東俏房客》:「長相不行、用功不行、運動不行」的
浦島景太郎
〔B〕《Fate/stay night》:只會「構造把握、強化和投影」的半調子魔術師
衛宮士郎
〔C〕《天地無用》:誤解封印後,蒙遭宇宙女難的普通高中生
征木天地
〔D〕《旋風管家》:人肉鋼彈不死身+鬼畜系(誤)的欠債管家
綾崎颯
〔E〕《To Heart》:心地善良,大而化之,卻稍嫌懶散的
藤田浩之
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