作者jfsu (水精灵)
看板comm_and_RF
标题Re: [问题] buffer layer
时间Wed Sep 30 19:18:44 2009
※ 引述《landau0426 (回头去追)》之铭言:
: 想请问一下
: 如果我想在一个PN junction中夹入一层buffer layer
: ex n-ZnO/buffer layer/p-si
: 夹在中间的buffer layer必须要有哪些特性才可以
: 以下哪些材料可做选择
: ex. p-porous si,iTO,MgO,SiO2,AlN,GaN,si3N4
: 厚度大约多少即可?取得比较容易的有哪些?
: 谢谢
当缓冲层要考虑〔热膨胀系数〕与〔晶格常数是否匹配〕等问题
你的疑问应该可以搜寻一下paper就会有资料才对,ZnO长在p-Si上
也是常被研究的专题。
--
你想成为下列〔後宫型〕动漫作品中的哪一位男主角?
〔A〕《纯情房东俏房客》:「长相不行、用功不行、运动不行」的
浦岛景太郎
〔B〕《Fate/stay night》:只会「构造把握、强化和投影」的半调子魔术师
卫宫士郎
〔C〕《天地无用》:误解封印後,蒙遭宇宙女难的普通高中生
征木天地
〔D〕《旋风管家》:人肉钢弹不死身+鬼畜系(误)的欠债管家
绫崎飒
〔E〕《To Heart》:心地善良,大而化之,却稍嫌懒散的
藤田浩之
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 203.66.222.12