作者jfsu (水精靈)
看板comm_and_RF
標題Re: [問題] 矽晶片方向性
時間Thu Sep 24 15:02:09 2009
※ 引述《bor0306 (博)》之銘言:
: 想請問一下大大,
: 老師有問一個問題,
: 目前BJT和MOS用的矽晶片,他們是不是有各自常用的矽晶片種類呢?
: BJT常用方向(111)的P-TYPE矽晶片
: MOS常用方向(100)的P-TYPE的矽晶片???
: 想請問一下大大,這是為什麼呢???
: 或是有沒有相關的網站或網頁可以提供參考呢~
: 謝謝大家^^
我們先來說說為何BJT要用(111)的做,而MOS要用(100)。
這部份主要是考慮到,在蝕刻與離子佈值時對元件特性的問題。
之所以BJT 製造於(111)wafer上,是因為過去使用擴散或離子佈值(Ion Implant)的
方式將 Emitter與Base layers垂直的將dopant參入。依此方法若使用(100) wafer時,
dopant會經由(100)面中的通道(channel) 加速擴散滲入,使得每層layer的深度不均,
(甚至有Emitter和Collector相連的現象),導致元件通通都死掉。
而(111)wafer從上往下看,晶體結構中沒有如(100)的channel,所以擴散或用ion
implant的dopant深度均勻且易控制,不過,現在用磊晶(epitaxy)後,可能就不同了。
再者,MOS製作於(100)wafer上是為了讓gate oxide 有較好的品質。若使用(111)wafer
由於表面矽的接腳較多支,而氧接上去後,表面或氧化層仍會殘留有許多懸鍵(dangling
bonds),做成元件後,這些地方則成了氧化態(oxide state)或是所謂的表面態(surface
state),載子一經過就被捉住,陷在裡面出不白,結果元件特性就變差了。
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◆ From: 203.66.222.12
1F:推 bor0306:100分!!!!感恩大大!!!!太猛了~~~ 163.25.98.151 09/24 17:23