作者jfsu (水精灵)
看板comm_and_RF
标题Re: [问题] 矽晶片方向性
时间Thu Sep 24 15:02:09 2009
※ 引述《bor0306 (博)》之铭言:
: 想请问一下大大,
: 老师有问一个问题,
: 目前BJT和MOS用的矽晶片,他们是不是有各自常用的矽晶片种类呢?
: BJT常用方向(111)的P-TYPE矽晶片
: MOS常用方向(100)的P-TYPE的矽晶片???
: 想请问一下大大,这是为什麽呢???
: 或是有没有相关的网站或网页可以提供参考呢~
: 谢谢大家^^
我们先来说说为何BJT要用(111)的做,而MOS要用(100)。
这部份主要是考虑到,在蚀刻与离子布值时对元件特性的问题。
之所以BJT 制造於(111)wafer上,是因为过去使用扩散或离子布值(Ion Implant)的
方式将 Emitter与Base layers垂直的将dopant参入。依此方法若使用(100) wafer时,
dopant会经由(100)面中的通道(channel) 加速扩散渗入,使得每层layer的深度不均,
(甚至有Emitter和Collector相连的现象),导致元件通通都死掉。
而(111)wafer从上往下看,晶体结构中没有如(100)的channel,所以扩散或用ion
implant的dopant深度均匀且易控制,不过,现在用磊晶(epitaxy)後,可能就不同了。
再者,MOS制作於(100)wafer上是为了让gate oxide 有较好的品质。若使用(111)wafer
由於表面矽的接脚较多支,而氧接上去後,表面或氧化层仍会残留有许多悬键(dangling
bonds),做成元件後,这些地方则成了氧化态(oxide state)或是所谓的表面态(surface
state),载子一经过就被捉住,陷在里面出不白,结果元件特性就变差了。
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◆ From: 203.66.222.12
1F:推 bor0306:100分!!!!感恩大大!!!!太猛了~~~ 163.25.98.151 09/24 17:23