作者blisslatch (風城阿草)
看板comm_and_RF
標題Re: [問題] 請問一下磊晶製程的問題
時間Fri Sep 18 16:02:13 2009
※ 引述《vinson (........ N NN)》之銘言：
: 假如說我要沉積20um的P-EPI
: 那是否我可以先沉積14um後,然後再離子植入打入一個埋層
: 然後再繼續長6um的P-EPI
: 不知道對於實際製程上來說這是可行的嗎?
依個人經驗，
20um磊晶層表面會被離子佈值機破壞(roughness or compound residue)，
可能導致後面epi的製程無法進行，
可能需要在implant後對表面進行依些處理才行
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ㄇ ㄇ 監獄豬：
@ @ 你他媽的老子今天不加班！
( (oo) ) ~~~啾咪~~~喔咿~~~
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◆ From: 140.110.207.108