作者blisslatch (风城阿草)
看板comm_and_RF
标题Re: [问题] 请问一下磊晶制程的问题
时间Fri Sep 18 16:02:13 2009
※ 引述《vinson (........ N NN)》之铭言：
: 假如说我要沉积20um的P-EPI
: 那是否我可以先沉积14um後,然後再离子植入打入一个埋层
: 然後再继续长6um的P-EPI
: 不知道对於实际制程上来说这是可行的吗?
依个人经验，
20um磊晶层表面会被离子布值机破坏(roughness or compound residue)，
可能导致後面epi的制程无法进行，
可能需要在implant後对表面进行依些处理才行
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ㄇ ㄇ 监狱猪：
@ @ 你他妈的老子今天不加班！
( (oo) ) ~~~啾咪~~~喔咿~~~
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◆ From: 140.110.207.108