作者blisslatch (風城阿草)
看板comm_and_RF
標題Re: [問題] silicon clean標準流程
時間Fri Sep 18 15:54:53 2009
※ 引述《rdss1115 (成功來自人心)》之銘言：
: 小弟剛剛接觸半導體製程
: 看到好像silicon的標準清洗流程有好幾種不同版本
: 想請問一下那種一種是比較常用的
: 每一步的功用又是什麼
: 謝謝
1. DI water rinse
2. RCA1 clean (H2O/H2O2/NH4OH=5:1:1) -- 此步驟清洗有機殘留物
3. RCA2 clean (HF/DI=1:1) -- 此步驟清洗離子/金屬殘留物
4. DI water rinse (ultrasonic)
5. Blow dry
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ㄇ ㄇ 監獄豬：
@ @ 你他媽的老子今天不加班！
( (oo) ) ~~~啾咪~~~喔咿~~~
︺
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.110.207.108
1F：→ darkmatson:RCA 2 錯了喔！HF 吃oxide的~ 61.31.149.18 09/19 22:10
2F：→ blisslatch:抱歉RCA2配方有誤，感謝指正 118.160.65.33 09/20 00:56
3F：→ blisslatch:以下為正確配方DI:H2O2:HCl=10:2:1 118.160.65.33 09/20 00:57