作者blisslatch (风城阿草)
看板comm_and_RF
标题Re: [问题] silicon clean标准流程
时间Fri Sep 18 15:54:53 2009
※ 引述《rdss1115 (成功来自人心)》之铭言：
: 小弟刚刚接触半导体制程
: 看到好像silicon的标准清洗流程有好几种不同版本
: 想请问一下那种一种是比较常用的
: 每一步的功用又是什麽
: 谢谢
1. DI water rinse
2. RCA1 clean (H2O/H2O2/NH4OH=5:1:1) -- 此步骤清洗有机残留物
3. RCA2 clean (HF/DI=1:1) -- 此步骤清洗离子/金属残留物
4. DI water rinse (ultrasonic)
5. Blow dry
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ㄇ ㄇ 监狱猪：
@ @ 你他妈的老子今天不加班！
( (oo) ) ~~~啾咪~~~喔咿~~~
︺
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.110.207.108
1F：→ darkmatson:RCA 2 错了喔！HF 吃oxide的~ 61.31.149.18 09/19 22:10
2F：→ blisslatch:抱歉RCA2配方有误，感谢指正 118.160.65.33 09/20 00:56
3F：→ blisslatch:以下为正确配方DI:H2O2:HCl=10:2:1 118.160.65.33 09/20 00:57