作者mslhu (ㄚ松)
站內comm_and_RF
標題[問題]deep n-well
時間Wed Aug 26 16:34:06 2009
我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時
發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well
我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地
而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它
在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道
它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地
那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電
路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？
deep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer
一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？
那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)
3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？
而我所使用的是.18製程。
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◆ From: 140.118.121.17
1F：推 xuwei:DNW就接VDD啊 114.43.213.251 08/27 00:39
2F：推 xuwei:基本上你只是把nwell跟dnw short起來 114.43.213.251 08/27 00:48
3F：→ xuwei:所以他不具有dnw shielding的能力而已 114.43.213.251 08/27 00:48
4F：→ xuwei:不會fail啦 114.43.213.251 08/27 00:48
5F：推 gyamwoo:不理的話只有softcheck的warning 140.115.71.171 08/27 02:56