作者mslhu (ㄚ松)
站内comm_and_RF
标题[问题]deep n-well
时间Wed Aug 26 16:34:06 2009
我是刚设计rf电路新手，在设计好电路後layout时
发觉rf的mos最外圈有两层，最内圈是body而最外圈是deep n-well
我那时不知道那是deep n-well，而在layout时nmos那圈我都接地
而pmos是那圈是已经跟body那圈接在一起了，所以我不需要动它
在我最近下线完後发觉好像不太对，我把nmos flatten掉才知道
它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我还把deep n-well接地
那不是有可能顺偏，我电路中body都跟source接在一起，而我的电
路中source又不一定接地，那这样子我的电路很有可能不work吗？
deep n-well是一个电晶体配一个，还是整个wafer配一个，若是整个wafer
一个的话那我叫出电晶体时怎会最外可以让我选择如何接？
那deep n-well我该怎样接才对？1.与body接在一起2.不要接(浮接)
3.接到最高电位。那种方式会比较好，而一般会用那种方法？
而我所使用的是.18制程。
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◆ From: 140.118.121.17
1F：推 xuwei:DNW就接VDD啊 114.43.213.251 08/27 00:39
2F：推 xuwei:基本上你只是把nwell跟dnw short起来 114.43.213.251 08/27 00:48
3F：→ xuwei:所以他不具有dnw shielding的能力而已 114.43.213.251 08/27 00:48
4F：→ xuwei:不会fail啦 114.43.213.251 08/27 00:48
5F：推 gyamwoo:不理的话只有softcheck的warning 140.115.71.171 08/27 02:56