作者smallhan (老狗青春不再)
看板comm_and_RF
標題Re: [問題] body端加電壓
時間Fri Jul 31 02:45:22 2009
※ 引述《kj66 (夏天到來)》之銘言：
: 請問各位先進,是否可以在P N MOS的B端加電壓(正負)?
: 小弟在模擬電路時,有將B端加電壓(0.7V以下)
: 電路效能跑出來有比較好,但是不知道這樣會有什麼影響?
: 因為上過積體電路課,印象中,B跟S接在一起,所以想請問有經驗的大大
: 感謝
必須使用deep n-well或是其他isolated well device才能這樣搞，
不然會產生漏電現象。
即便是可以這樣做，body的voltage也要注意Vbd Vbs，以免產生Diode turned on。
0.7V如果是用在NMOS如果是先進製程已經在臨界值，效能便好是因為Vt下降的關係。
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◆ From: 207.114.132.30
1F：推 Gocoba:body加電壓這類paper可以參考Peter Kinget 72.222.128.213 08/01 14:35
2F：→ Gocoba:的paper 哥大是這方面的pioneer 72.222.128.213 08/01 14:36