作者smallhan (老狗青春不再)
看板comm_and_RF
标题Re: [问题] body端加电压
时间Fri Jul 31 02:45:22 2009
※ 引述《kj66 (夏天到来)》之铭言：
: 请问各位先进,是否可以在P N MOS的B端加电压(正负)?
: 小弟在模拟电路时,有将B端加电压(0.7V以下)
: 电路效能跑出来有比较好,但是不知道这样会有什麽影响?
: 因为上过积体电路课,印象中,B跟S接在一起,所以想请问有经验的大大
: 感谢
必须使用deep n-well或是其他isolated well device才能这样搞，
不然会产生漏电现象。
即便是可以这样做，body的voltage也要注意Vbd Vbs，以免产生Diode turned on。
0.7V如果是用在NMOS如果是先进制程已经在临界值，效能便好是因为Vt下降的关系。
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 207.114.132.30
1F：推 Gocoba:body加电压这类paper可以参考Peter Kinget 72.222.128.213 08/01 14:35
2F：→ Gocoba:的paper 哥大是这方面的pioneer 72.222.128.213 08/01 14:36