作者sean456 (SmithDing)
看板comm_and_RF
標題Re: [問題] MOSFET的空乏型和增強型
時間Sat Mar 21 09:41:23 2009
※ 引述《papa2958 (噹噹是藍 妳是白)》之銘言：
: 為何空乏型可以加順向及逆向偏壓
: 增加型就不行呢?
以N通道空乏型來說 原本就有N型通道 在閘極加入正電壓
只是把N通道加深 電流大 就變成 增強型操作
如果加入負電壓 會排斥N通道中的電子 電流小 空乏型操作
負電壓大到一定程度 會讓通道中的N通道消失 進入截止區
增強型操作跟空乏型操作的分界點就是Vgs＝0這條電流曲線
所以空乏型會有一個參數Idss即是Vgs＝0的飽和電流
如果是N通道增強型 必須在閘極加入正電壓吸引基板上的
負電荷達到強反轉（通道內的負電荷等於基板上的正電荷濃度）
才有通道出現 如果閘極加入負電壓就無法達成此條件無法形成通道
那我在補充一下好了希望你能夠瞭解
先從MOS的材料談起
以N型為例子
N型的基板都是採用P型材料 在P型材料上面製作出二氧化矽還有閘極
之後在用離子佈植法把N型材料擴散進去基板形成源極跟汲極
這樣一來源極跟汲極是沒有通道的所以要在閘極加入一個正電壓
將會產生電荷吸引作用把基板上的電子吸引到基板表面如果達到強反轉
就會產生一個明顯的電流 在DS之間 這就是增強型NMOS的基本原理
如果是空乏型在DS之間會擴散一層N型材料形成通道所以你在閘極加入
正電壓會使得通道內的電子增加 通道變得比較深此時產生的電流也會比較大
這就是增強型操作 因為跟增強型MOS加入的偏壓相同所以稱為增強型操作
空乏型操作是在閘極加入負電壓將通道內的電子排斥（或者是吸引電洞）
使得通道變淺電流將會變小
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◆ From: 59.115.10.200
※ 編輯: sean456 來自: 59.115.10.200 (03/21 09:46)
※ 編輯: sean456 來自: 59.115.10.200 (03/21 17:02)
1F：推 papa2958:還是有點難懂@@140.115.217.238 03/22 02:05
※ 編輯: sean456 來自: 218.161.50.71 (03/22 10:56)
2F：→ poloko:我都被你講得有點混亂了說...orz 不解釋了 59.115.176.180 03/22 17:20