作者sean456 (SmithDing)
看板comm_and_RF
标题Re: [问题] MOSFET的空乏型和增强型
时间Sat Mar 21 09:41:23 2009
※ 引述《papa2958 (当当是蓝 你是白)》之铭言：
: 为何空乏型可以加顺向及逆向偏压
: 增加型就不行呢?
以N通道空乏型来说 原本就有N型通道 在闸极加入正电压
只是把N通道加深 电流大 就变成 增强型操作
如果加入负电压 会排斥N通道中的电子 电流小 空乏型操作
负电压大到一定程度 会让通道中的N通道消失 进入截止区
增强型操作跟空乏型操作的分界点就是Vgs＝0这条电流曲线
所以空乏型会有一个参数Idss即是Vgs＝0的饱和电流
如果是N通道增强型 必须在闸极加入正电压吸引基板上的
负电荷达到强反转（通道内的负电荷等於基板上的正电荷浓度）
才有通道出现 如果闸极加入负电压就无法达成此条件无法形成通道
那我在补充一下好了希望你能够了解
先从MOS的材料谈起
以N型为例子
N型的基板都是采用P型材料 在P型材料上面制作出二氧化矽还有闸极
之後在用离子布植法把N型材料扩散进去基板形成源极跟汲极
这样一来源极跟汲极是没有通道的所以要在闸极加入一个正电压
将会产生电荷吸引作用把基板上的电子吸引到基板表面如果达到强反转
就会产生一个明显的电流 在DS之间 这就是增强型NMOS的基本原理
如果是空乏型在DS之间会扩散一层N型材料形成通道所以你在闸极加入
正电压会使得通道内的电子增加 通道变得比较深此时产生的电流也会比较大
这就是增强型操作 因为跟增强型MOS加入的偏压相同所以称为增强型操作
空乏型操作是在闸极加入负电压将通道内的电子排斥（或者是吸引电洞）
使得通道变浅电流将会变小
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 59.115.10.200
※ 编辑: sean456 来自: 59.115.10.200 (03/21 09:46)
※ 编辑: sean456 来自: 59.115.10.200 (03/21 17:02)
1F：推 papa2958:还是有点难懂@@140.115.217.238 03/22 02:05
※ 编辑: sean456 来自: 218.161.50.71 (03/22 10:56)
2F：→ poloko:我都被你讲得有点混乱了说...orz 不解释了 59.115.176.180 03/22 17:20