作者bmw325 (BMW325)
看板comm_and_RF
標題Re: [問題] MOS的閃爍雜訊
時間Fri Jan 16 20:18:55 2009
※ 引述《kj66 (冬天到來)》之銘言：
: 請問我在paper看到說電路用PMOS會比NMOS
: 用來降低1/f會比較好,可是沒說為什麼,
: 我有去查Razavi的類比積體電路,雜訊這一章節有提到
: 不過好像只說一些,好像跟buried channel有關?
: 謝謝
: -----------------
: 電學觀念太淺了
: 不好意思= =
FLICKER NOISE的來源主要是跟元件OXIDE表面的TRAP有關
這些TRAP的特性要去抓電子比要容易，要抓電洞比較不容易
所以一般來說NMOS的雜訊會比PMOS大，是因為NMOS用電子再傳導，PMOS是用
電洞在傳導。然而這種說法只適用在以前的製程(0.18um之前)，現在90之後
甚至到32或28的製程，NMOS和PMOS在相同電流的情況下，PMOS的FLICKER
NOISE事實上並沒有比較小。
第二點現在的先進製程已經沒有在用buried channel這種技術了。那種技術
主要是3～5年前PMOS的特性作不好，但是在設計元件的那些人又希望將電洞
mobility拉高到差不多剛好是電子的一半，加上也因為Vth的考量，於是用buried
channel這種技術讓PMOS的電洞稍稍遠離表面一些，不要讓電洞貼著OXIDE的表
面去行走，這樣子電洞的mobility會獲得有效提升，而且Vth也比較好調整。
而電洞稍微遠離OXIDE表面，感覺起來就像通道被埋在基底，buried channel
這名字也就是這樣來。
但也因為電洞稍稍遠離OXIDE表面導致有一個寄生電容，這會使元件其他特性變
差後來就改用其他方式來拉電洞的mobility，後來buried channel這種技術就被
放棄了。
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我承認我對韓國貨有偏見..你咬我啊..XD
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◆ From: 118.169.107.141
※ 編輯: bmw325 來自: 118.169.107.141 (01/16 20:22)
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2F：推 kj66:Thank you very much!122.118.156.235 01/16 22:56
3F：推 jyhbna:不推不行 122.120.53.5 01/16 23:25
4F：推 kkooff:推一個 211.74.234.73 01/17 10:30
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