作者bmw325 (BMW325)
看板comm_and_RF
标题Re: [问题] MOS的闪烁杂讯
时间Fri Jan 16 20:18:55 2009
※ 引述《kj66 (冬天到来)》之铭言：
: 请问我在paper看到说电路用PMOS会比NMOS
: 用来降低1/f会比较好,可是没说为什麽,
: 我有去查Razavi的类比积体电路,杂讯这一章节有提到
: 不过好像只说一些,好像跟buried channel有关?
: 谢谢
: -----------------
: 电学观念太浅了
: 不好意思= =
FLICKER NOISE的来源主要是跟元件OXIDE表面的TRAP有关
这些TRAP的特性要去抓电子比要容易，要抓电洞比较不容易
所以一般来说NMOS的杂讯会比PMOS大，是因为NMOS用电子再传导，PMOS是用
电洞在传导。然而这种说法只适用在以前的制程(0.18um之前)，现在90之後
甚至到32或28的制程，NMOS和PMOS在相同电流的情况下，PMOS的FLICKER
NOISE事实上并没有比较小。
第二点现在的先进制程已经没有在用buried channel这种技术了。那种技术
主要是3～5年前PMOS的特性作不好，但是在设计元件的那些人又希望将电洞
mobility拉高到差不多刚好是电子的一半，加上也因为Vth的考量，於是用buried
channel这种技术让PMOS的电洞稍稍远离表面一些，不要让电洞贴着OXIDE的表
面去行走，这样子电洞的mobility会获得有效提升，而且Vth也比较好调整。
而电洞稍微远离OXIDE表面，感觉起来就像通道被埋在基底，buried channel
这名字也就是这样来。
但也因为电洞稍稍远离OXIDE表面导致有一个寄生电容，这会使元件其他特性变
差後来就改用其他方式来拉电洞的mobility，後来buried channel这种技术就被
放弃了。
--
--
我承认我对韩国货有偏见..你咬我啊..XD
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 118.169.107.141
※ 编辑: bmw325 来自: 118.169.107.141 (01/16 20:22)
1F：推 moonls:推好文 ! 140.123.219.21 01/16 21:37
2F：推 kj66:Thank you very much!122.118.156.235 01/16 22:56
3F：推 jyhbna:不推不行 122.120.53.5 01/16 23:25
4F：推 kkooff:推一个 211.74.234.73 01/17 10:30
5F：推 pdaer:好文推 114.44.130.121 01/18 02:52
6F：推 fireman:GOOD 123.192.157.75 01/18 09:17
7F：推 youwin0125:推 220.136.49.164 01/18 23:44
8F：推 bbyan:好文~140.123.110.209 01/19 19:30
9F：→ aaming:赞~~ 60.250.64.37 01/20 12:56
10F：推 MudHan:推啊~~~220.137.190.150 01/21 12:10
11F：推 RyanXin:推呀~~140.123.112.147 01/21 12:42
12F：→ paullai:推 59.115.163.46 02/07 01:15