作者ARKUE (Why so serious)
看板comm_and_RF
標題[問題] SONOS flash的閘極疑問
時間Sun Sep 21 17:38:37 2008
在這裡要請教一下記憶體高手<(_ _)>
就一個SONOS N通道的基板來說
閘極材料可以分為P和N型
那為什麼P型的閘極 會減少閘極電子的注入？
N 增加 ？
又為什麼閘極work function愈高 通道電子注入就會愈低？
這跟上面的P或N有關連嗎？
另外BE-SONOS若欲執行像NROM的單邊bit抹除
是不是也是像NROM一樣 用band to band的方式
讓drain端的電洞移至通道來進行抹除呢
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 59.104.116.90
※ 編輯: ARKUE 來自: 59.104.116.90 (09/21 17:42)