作者ARKUE (Why so serious)
看板comm_and_RF
标题[问题] SONOS flash的闸极疑问
时间Sun Sep 21 17:38:37 2008
在这里要请教一下记忆体高手<(_ _)>
就一个SONOS N通道的基板来说
闸极材料可以分为P和N型
那为什麽P型的闸极 会减少闸极电子的注入？
N 增加 ？
又为什麽闸极work function愈高 通道电子注入就会愈低？
这跟上面的P或N有关连吗？
另外BE-SONOS若欲执行像NROM的单边bit抹除
是不是也是像NROM一样 用band to band的方式
让drain端的电洞移至通道来进行抹除呢
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