作者carman (距離的美感)
看板comm_and_RF
標題[問題]Anneal的問題
時間Wed May 14 22:00:12 2008
※ [本文轉錄自 Physics 看板]
作者: carman (距離的美感) 看板: Physics
標題: [問題]Anneal的問題
時間: Wed May 14 21:58:35 2008
我的基板材料是GaAs
在台灣我做P ohmic 是鍍 Ti/Pt/Ti/Au 700A/500A/200A/3000A
anneal 每分鐘升100度 425度 2分鐘 裡頭充氮氣
N ohmic 是鍍 Au,Ge,Ni合金/Au 1500A/3000A
anneal 每分鐘升100度 385度 2分鐘 裡頭充氮氣
在新學校,由於機器設備限制,我參考畢業學長的論文
基板材料還是GaAs
P ohmic 是鍍 Pd/Zn/Pd/Au 100A/200A/200A/3000A
N ohmic 是鍍 Ni/Ge/Au/Ti/Au 250A/325A/650A/200A/3000A
anneal 是用充氮氣的箱子裡頭兩個Hot plate
250度 30秒 再400度 1分鐘 再250度 30秒(P和N共做一次)
這幾天學校有找到台RTA的機器
能否煩請有經驗的版友提供我
在GaAs基板
P ohmic Pd/Zn/Pd/Au 100A/200A/200A/3000A
N ohmic Ni/Ge/Au/Ti/Au 250A/325A/650A/200A/3000A
RTA的溫度和時間,每分鐘升溫速度等參數..金屬厚度的部分若板友有較佳的條件
也煩請分享與提供,感激不盡,謝謝!!
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不再想,不再愛,不再懂,不再繼續
心就像漏水的房間而自己太多的重疊反而模糊
失去的不必再追回,那個刻意塵封的記憶從此沒有遺憾
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 98.209.26.223
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