作者carman (距离的美感)
看板comm_and_RF
标题[问题]Anneal的问题
时间Wed May 14 22:00:12 2008
※ [本文转录自 Physics 看板]
作者: carman (距离的美感) 看板: Physics
标题: [问题]Anneal的问题
时间: Wed May 14 21:58:35 2008
我的基板材料是GaAs
在台湾我做P ohmic 是镀 Ti/Pt/Ti/Au 700A/500A/200A/3000A
anneal 每分钟升100度 425度 2分钟 里头充氮气
N ohmic 是镀 Au,Ge,Ni合金/Au 1500A/3000A
anneal 每分钟升100度 385度 2分钟 里头充氮气
在新学校,由於机器设备限制,我参考毕业学长的论文
基板材料还是GaAs
P ohmic 是镀 Pd/Zn/Pd/Au 100A/200A/200A/3000A
N ohmic 是镀 Ni/Ge/Au/Ti/Au 250A/325A/650A/200A/3000A
anneal 是用充氮气的箱子里头两个Hot plate
250度 30秒 再400度 1分钟 再250度 30秒(P和N共做一次)
这几天学校有找到台RTA的机器
能否烦请有经验的版友提供我
在GaAs基板
P ohmic Pd/Zn/Pd/Au 100A/200A/200A/3000A
N ohmic Ni/Ge/Au/Ti/Au 250A/325A/650A/200A/3000A
RTA的温度和时间,每分钟升温速度等参数..金属厚度的部分若板友有较佳的条件
也烦请分享与提供,感激不尽,谢谢!!
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不再想,不再爱,不再懂,不再继续
心就像漏水的房间而自己太多的重叠反而模糊
失去的不必再追回,那个刻意尘封的记忆从此没有遗憾
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 98.209.26.223
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