作者elf326 (小小)
看板comm_and_RF
標題[問題] 關於CMOS電晶體的臨界電壓
時間Sun Sep 23 03:04:39 2007
最近使用到台積電的0.18um製程,看技術文件時發現,通道寬度(w)為1.6um時比通道寬度
為2.2um時的臨界電壓(vt)來的低!!
電晶體不是有窄通道效應嗎?較窄的通道寬度其臨界電壓不是會相對的比較高...
還是我觀念搞混了?! 麻煩各位大大了 謝謝 ^^"
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.117.201.89
1F：推 obov:窄道講的是L吧 老大 76.103.52.84 09/23 06:59
2F：推 elf326:我知道短通道效應 但不是還有窄通道效應嗎? 140.117.201.89 09/23 11:34
3F：推 obov:歐那是我搞錯了 拍寫拍寫 沒看過中文譯詞 76.103.52.84 09/24 01:01
4F：推 obov:我想你說的應該是反窄通道效應吧 76.103.52.84 09/24 01:05
5F：→ obov:reverse narrow width effect 76.103.52.84 09/24 01:06
6F：推 cpt:上面這個效應的確是Vth隨著W變短而降低128.237.229.190 09/25 04:24
7F：推 cpt:原po指的narrow-width effect是在古早的製程128.237.229.190 09/25 04:36
8F：→ cpt:用LOCOS做isolation才會有的現象, 現在的128.237.229.190 09/25 04:37
9F：→ cpt:shallow trench會造成相反的效應128.237.229.190 09/25 04:37
10F：推 elf326:謝謝上面大大的解答 已經瞭解了^^" 140.117.201.89 09/28 03:50