作者elf326 (小小)
看板comm_and_RF
标题[问题] 关於CMOS电晶体的临界电压
时间Sun Sep 23 03:04:39 2007
最近使用到台积电的0.18um制程,看技术文件时发现,通道宽度(w)为1.6um时比通道宽度
为2.2um时的临界电压(vt)来的低!!
电晶体不是有窄通道效应吗?较窄的通道宽度其临界电压不是会相对的比较高...
还是我观念搞混了?! 麻烦各位大大了 谢谢 ^^"
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◆ From: 140.117.201.89
1F：推 obov:窄道讲的是L吧 老大 76.103.52.84 09/23 06:59
2F：推 elf326:我知道短通道效应 但不是还有窄通道效应吗? 140.117.201.89 09/23 11:34
3F：推 obov:欧那是我搞错了 拍写拍写 没看过中文译词 76.103.52.84 09/24 01:01
4F：推 obov:我想你说的应该是反窄通道效应吧 76.103.52.84 09/24 01:05
5F：→ obov:reverse narrow width effect 76.103.52.84 09/24 01:06
6F：推 cpt:上面这个效应的确是Vth随着W变短而降低128.237.229.190 09/25 04:24
7F：推 cpt:原po指的narrow-width effect是在古早的制程128.237.229.190 09/25 04:36
8F：→ cpt:用LOCOS做isolation才会有的现象, 现在的128.237.229.190 09/25 04:37
9F：→ cpt:shallow trench会造成相反的效应128.237.229.190 09/25 04:37
10F：推 elf326:谢谢上面大大的解答 已经了解了^^" 140.117.201.89 09/28 03:50