※ 引述《li0 (喔耶~~~)》之銘言： : 請教各位先輩~~~~~~ : 關於breakdown的問題~~~~ : 像0.18製程channel length為0.18um的NMOS~~~~ : drain to source的breakdown voltage大約是多少~~~ : 從1.8V的device名詞上可以看出什麼端倪嗎~? : 如果在drain端放一個電感~~~~ : swing可以達到兩倍~~~ : 這又是如何解釋~~~ : 還有drain to source breakdown 的機製和 : drain to gate breakdown的機製是相同的嗎~?? : 在製程資料中好像查不到這個東西~~~ : 希望有前輩能為我解惑~~ : 感激不儘~~~~~^^ 一般而言source drain的耐壓都很大..我之前看switch的paper有寫 CMOS .35 or .5(?) drain source可以到十幾V以上..Vds一般都不是問題.. 而gate到其它點的耐壓..則小很多..我問過作ESD的朋友..他說最大可耐壓 通常是核心電壓的10%為極限..也就是CMOS .35 3.3V最大約3.63V就已經很危險了.. 若CMOS.18 1.8V則是1.98V左右.. 在RF電路裡switch最常遇到這種情況..因為了降低loss提高power handling capability 經常會使用charg pump 將電壓提高超出核心電壓..甚至到接近兩倍.. 審慎的檢視各點偏壓情況就變的很重要..有paper甚至會上偏壓後.. 打P-1db大的信號..放著一周 看是否會爛掉.. 你或許可以去看看1999年(?)有篇rf switch的paper是JSSC..台灣人寫的.. 以上是憑以前design時的印象寫的..供您參考.. --

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