※ [本文轉錄自 Electronics 看板] 作者: cpt (post blue) 看板: Electronics 標題: Re: [問題] 設計opamp參數的問題 時間: Sun Dec 24 00:11:28 2006 ※ 引述《jingwoei (jwsu)》之銘言： : 請問假設我有個opamp，要設計它gm和Rout， : 進而設計它的電流和W/L、電壓等， : 請問gm和ro這兩個參數沒有辦法同時滿足想要設計的目標(gm和ro值)， : 當電流大ro小、gm變大，造成(W/L)的值很難抓， : 請問有經驗的前輩，如果要設計放大器的gm、ro等參數值，應該如何下手？ : 謝謝大家。 gm = (2Id)/(Vgs-Vth) --------- (1) ro = 1/(λId) = (Va*L)/(Id) ----- (2) 設計 opamp 的時候, 請先從 output 端開始計算: 1. 根據 slew rate 要求和負載電容大小, 算出輸出級的電流 (Id) 2. 電流決定了, 再根據輸出信號 swing range 看 headroom 夠不夠大 以此決定 (Vgs-Vth) 的值 (也不要給太小, 不然 MOS 會太大顆) -> 此時等於也決定了 gm --- (1) 3. 決定 (Vgs-Vth) 之後, 用 MOSFET 電流公式, 求得各電晶體 W/L 值 4. 根據 opamp 所需的 gain, 算出 ro 的最小值 再由 (2) 求得所需的 L 值 上面的每一步計算, 請保留 20% 以上的容錯空間 如此一來, 手算的 W, L 直接丟進去模擬, 結果應該也不會差太多了 不過, 如果你用的製程比較新一點, e.g. 90nm ro 記算可能誤差會比較大 我看過有人用 curve fitting 求出一組計算λ用的參數 用來做手算結果還是蠻準的 比完全沒算就盲目 tune 電路要快多囉 --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 128.237.248.214 --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 70.141.220.11