※ [本文转录自 Electronics 看板] 作者: cpt (post blue) 看板: Electronics 标题: Re: [问题] 设计opamp参数的问题 时间: Sun Dec 24 00:11:28 2006 ※ 引述《jingwoei (jwsu)》之铭言： : 请问假设我有个opamp，要设计它gm和Rout， : 进而设计它的电流和W/L、电压等， : 请问gm和ro这两个参数没有办法同时满足想要设计的目标(gm和ro值)， : 当电流大ro小、gm变大，造成(W/L)的值很难抓， : 请问有经验的前辈，如果要设计放大器的gm、ro等参数值，应该如何下手？ : 谢谢大家。 gm = (2Id)/(Vgs-Vth) --------- (1) ro = 1/(λId) = (Va*L)/(Id) ----- (2) 设计 opamp 的时候, 请先从 output 端开始计算: 1. 根据 slew rate 要求和负载电容大小, 算出输出级的电流 (Id) 2. 电流决定了, 再根据输出信号 swing range 看 headroom 够不够大 以此决定 (Vgs-Vth) 的值 (也不要给太小, 不然 MOS 会太大颗) -> 此时等於也决定了 gm --- (1) 3. 决定 (Vgs-Vth) 之後, 用 MOSFET 电流公式, 求得各电晶体 W/L 值 4. 根据 opamp 所需的 gain, 算出 ro 的最小值 再由 (2) 求得所需的 L 值 上面的每一步计算, 请保留 20% 以上的容错空间 如此一来, 手算的 W, L 直接丢进去模拟, 结果应该也不会差太多了 不过, 如果你用的制程比较新一点, e.g. 90nm ro 记算可能误差会比较大 我看过有人用 curve fitting 求出一组计算λ用的参数 用来做手算结果还是蛮准的 比完全没算就盲目 tune 电路要快多罗 --

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