作者ninam (無聲的呢喃)
看板comm_and_RF
標題[問題] 經過bias-t結果好糟
時間Sat Nov 4 20:34:22 2006
我又有bias-t的問題了 冏.....
vdd 1.8v
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3
3
output--------mmmmm-----3-----||-----
2nh(bondwire) |
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50歐姆
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___
gnd
bondwire部份由於我使用無ESD的PAD
所以寄生電容我先不考慮
關於這個bias-t我有問過三個人
可是size的scale都不一樣
版本一:L=2mH C=800p
版本二:L=143nH C=220uf
版本三:L=200uH C=150nf
可是這三各版本下去跑結果都是50歐姆那端在0那邊抖動
隔著電容的前一端則是在1.8以相同的range抖動(range約300mv)
就算我電路是一個簡單的delay 結果還是慘不忍睹
我操作頻率為八百多MHz
請問我的問題到底出在哪呢
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 59.105.135.143
1F：推 pippyman:假如是open drain....看一下gate電壓 140.112.48.155 11/05 16:39
2F：→ pippyman:夠不夠把電晶體打開 140.112.48.155 11/05 16:40
3F：推 ninam:我有看過gate 是ok的 rail to rail 59.105.135.143 11/06 01:59
4F：→ ninam:昨晚想了一下 bias-t是被動元件 而由 59.105.135.143 11/06 01:59
5F：→ ninam:nmos看過去的阻抗似乎在100以下 gm通常為 59.105.135.143 11/06 02:01
6F：→ ninam:幾mA/V 這樣怎能在50歐姆做大swing的波形呢 59.105.135.143 11/06 02:02
7F：推 ninam:剛估過我的50歐姆跨壓約為gmR*(1.8-0.8) 59.105.135.143 11/06 03:04
8F：→ ninam:所以要把swing我的gm必須要大到20~30mA/V摟 59.105.135.143 11/06 03:06