作者ninam (无声的呢喃)
看板comm_and_RF
标题[问题] 经过bias-t结果好糟
时间Sat Nov 4 20:34:22 2006
我又有bias-t的问题了 冏.....
vdd 1.8v
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3
3
output--------mmmmm-----3-----||-----
2nh(bondwire) |
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50欧姆
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___
gnd
bondwire部份由於我使用无ESD的PAD
所以寄生电容我先不考虑
关於这个bias-t我有问过三个人
可是size的scale都不一样
版本一:L=2mH C=800p
版本二:L=143nH C=220uf
版本三:L=200uH C=150nf
可是这三各版本下去跑结果都是50欧姆那端在0那边抖动
隔着电容的前一端则是在1.8以相同的range抖动(range约300mv)
就算我电路是一个简单的delay 结果还是惨不忍睹
我操作频率为八百多MHz
请问我的问题到底出在哪呢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 59.105.135.143
1F：推 pippyman:假如是open drain....看一下gate电压 140.112.48.155 11/05 16:39
2F：→ pippyman:够不够把电晶体打开 140.112.48.155 11/05 16:40
3F：推 ninam:我有看过gate 是ok的 rail to rail 59.105.135.143 11/06 01:59
4F：→ ninam:昨晚想了一下 bias-t是被动元件 而由 59.105.135.143 11/06 01:59
5F：→ ninam:nmos看过去的阻抗似乎在100以下 gm通常为 59.105.135.143 11/06 02:01
6F：→ ninam:几mA/V 这样怎能在50欧姆做大swing的波形呢 59.105.135.143 11/06 02:02
7F：推 ninam:刚估过我的50欧姆跨压约为gmR*(1.8-0.8) 59.105.135.143 11/06 03:04
8F：→ ninam:所以要把swing我的gm必须要大到20~30mA/V搂 59.105.135.143 11/06 03:06