中文摘要 本實驗在發展時間解析之光致電流顯微術於半導體元件，我們使用脈衝雷射..雷射 共焦顯微鏡及RF Lock-in Amplifier等儀器，以及利用飛行時間式電荷傳導量測系 統(Time-of-Flight)量測載子在半導體鍺的速率(drift velocity)，藉此瞭解載子 在半導體的傳輸特性。 在實驗中我們是利用脈衝雷射雙光子激發的特性來激發半導體元件，半導體產生電 子-電洞對後，在電場的驅使下使其中一種載子飄向電極端，產生一暫態光電流， 由RF Lock-in Amplifier我們可量測半導體上各點暫態光電流流向電極的相位延遲 ，由此我們可以決定飛行時間法中所產生的暫態電流之時間長度，而由掃描圖形上 的比例尺來決定距離長度，之於上述二者我們可以獲得載子在半導體上的漂移速率 (drift velocity)。 --

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